氮化硼转变半导体,氮化硼转变半导体原理

摘要： 大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于氮化硼转变半导体的问题，于是小编就整理了3个相关介绍氮化硼转变半导体的解答，让我们一起看看吧。氮化硼的化学式是什么？复旦大学研发...

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于氮化硼转变半导体的问题，于是小编就整理了3个相关介绍氮化硼转变半导体的解答，让我们一起看看吧。

1. 氮化硼的化学式是什么？
2. 复旦大学研发什么新型存储技术？
3. 氯化硼是不是分子晶体？

氮化硼的化学式是什么？

氮化硼的化学式为BN。

氮化硼是一种特殊的化合物，具有一种独特的金属结构，包含两个氮原子通过共价键连接而成，具有半导体的特性，例如低电阻性，可以用来制造封装电阻、电阻晶体管或单片机等。

氮化硼的化学式是BN。

氮化硼是一种由氮原子和硼原子组成的化合物，其化学式为BN。它是一种具有六方晶体结构的晶体，通常为灰色的细粉或致密的块状物。氮化硼具有高熔点、高硬度、高热导率、低介电常数等特性，因此被广泛应用于电子、陶瓷、金属加工等领域。

复旦大学研发什么新型存储技术？

近日，复旦大学某团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机的内存，可在几纳秒左右写入数据，但掉电后数据会立即消失；

第二类是非易失性存储，例如U盘，需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来，但在写入数据后无需额外能量可保存10年。新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性：写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。

它既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性；既可以在高速内存中极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，为一些特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。

其中一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。

对“写入速度”与“非易失性”的调控，就在于这两部分的比例。

这一重要突破，从技术定义、结构模型到性能分析的全过程，均由复旦大学科研团队独立完成。

氯化硼是不是分子晶体？

氯化硼化学式BCl3，一种无机化合物，是非金属化合物，属于分子晶体。为无色发烟液体或气体，有***性酸味，易潮解。溶于苯、二硫化碳。遇水分解生成氯化氢和硼酸，并放出大量热量，在湿空气中因水解而生成烟雾，在醇中分解为盐酸和硼酸酯。

用以制造高纯硼、有机合成用催化剂、硅酸盐分解时的助熔剂、可对钢铁进行硼化，半导体的掺杂源，合金精制中作为除氧剂、氮化物和碳化物的添加剂。还可用来制造氮化硼及硼烷化合物。

到此，以上就是小编对于氮化硼转变半导体的问题就介绍到这了，希望介绍关于氮化硼转变半导体的3点解答对大家有用。